Элементная база

В данном разделе приведены справочные данные некоторых радиоэлементов, которые могут оказаться полезными при выборе элементной базы для курсового проектирования.

Основные параметры:

[7макс — максимально допустимое постоянное напряжение коллектор — эмиттер;

/макс — максимально допустимый постоянный ток коллектора;

Лшкс — постоянная рассеиваемая мощность коллектора;

/гран — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ;

Л2|э — статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ;

/кб0 — обратный ток коллектора;

Кш коэффициент шума транзистора.

Иностранные ВЧ транзисторы в корпусе SOT-23

Иностранные ВЧ транзисторы в корпусе ТО-50

Таблица 5.1

Наименование

Структура

тт R

'?'макс* D

Атаке, мА

Лтаке, ЙТ

/гран, ГГц

^ш,дБ

^21э

BFR92A

N-P-N

15

25

0,3

5

2,1

40-90

BFR93A

N-P-N

12

35

0,3

6

1,9

40-90

BFR193

N-P-N

12

80

0,58

8

1,3

50-200

BFS17A

N-P-N

15

25

0,3

2,8

2,5

25-90

BFT92

P-N-P

15

25

0,3

5

2,5

20-50

BFT93

P-N-P

12

35

0,3

5

2,4

20-50

Таблица 5.2

Наименование

Структура

// D

v макс 5 °

Атаке, МА

Рмакс, Вт

/гран, ГГц

Кш, дБ

^21э

BF970

P-N-P

35

30

0,3

1

4,2

25-90

BF979

P-N-P

20

50

0,3

1,75

3,4

20-90

BFR90A

N-P-N

15

30

0,3

6

1,8

50-150

Окончание табл. 5.2

Наименование

Структура

?7макс,

Лакс, МА

Люкс, ВТ

/гран, ГГц

Лн, дБ

^21э

BFR91A

N-P-N

12

50

0,3

6

1,6

40-150

BFR96TS

N-P-N

15

100

0,7

5

4

25-150

Таблица 5.3

Наименование

Структура

?7 , , В

Лакс, МА

Л,акс, ВТ

/гран, МГЦ

^21э

BF199

N-P-N

25

25

0,5

550

>38

BF240

N-P-N

40

25

0,3

>150

60-220

BF324

P-N-P

30

25

0,3

450

>25

BF450

P-N-P

40

25

0,3

375

>50

BF494

N-P-N

20

30

0,3

>260

>30

BF959

N-P-N

20

100

0,625

>600

>35

Таблица 5.4

Наименование

Структура

^Умакс>

В

•“макс 9 мА

Рмакс, Вт

/ран, ГГц

^21э

Корпус

BFG425W

N-P-N

4,5

30

0,135

25

50-120

SOT343R

BFP67

N-P-N

10

50

0,2

7,5

65-150

SOT143

BFP450

N-P-N

4,5

100

0,45

24

50-150

SOT343R

BFP540

N-P-N

4,5

80

0,25

33

50-200

SOT343R

BFP620

N-P-N

2,3

80

0,185

65

100-320

SOT343R

Таблица 5.5

Наименование

Структура

Р

Л максу

Вт

?*макс>

мА

^макс, В

/б<» мкА

^21э

Угран?

МГц

Корпус

КТ3102 А-Ж

N-P-N

0,25

200

20-50

<0,05

  • 100/250—
  • 400/1000

150

КТ-1-7

КТ3102 АМ-КМ

N-P-N

0,25

200

20-50

<0,05

  • 100/250—
  • 400/1000

150

КТ-26

КТ3107

P-N-P

0,3

100

20-45

<0,1

  • 70/140—
  • 380/800

250

КТ-26

КТ3108

P-N-P

0,3

200

45-60

<0,2

50/150— 100/300

250

КТ-1-7

КТ3117А, Б

N-P-N

0,3

400

50

< 10

40/200

300

КТ-1-7

Иностранные ВЧ транзисторы в корпусе ТО-92

Иностранные ВЧ транзисторы в корпусах различных типов

Отечественные ВЧ транзисторы

Окончание табл. 5.5

Наименование

Структура

р

1 макс?

Вт

Алакс? мА

^макс?

В

Асбо? мкА

^21э

./гран?

МГц

Корпус

КТ3117 А1

N-P-N

0,3

400

50

< 10

40/200

300

КТ-26

КТ3129

P-N-P

0,15

100

20-40

< 1,0

30/120— 200/500

200

КТ-46

КТ3130

N-P-N

0,1

100

15-40

<0,1

  • 100/250—
  • 400/1000

150

КТ-46

КТ315

N-P-N

0,15

  • 50—
  • 100

25-60

0,5

20/90— 50/350

200

КТ-13

КТ3151 А9, Д9

N-P-N

0,2

100

80

< 1,0

>20

100

КТ-46

КТ3153 А9

N-P-N

0,3

400

50

< 0,05

100/300

250

КТ-46

КТ3157А

P-N-P

0,2

30

250

<0,1

>50

60

КТ-26

КТ3172 А9

N-P-N

0,2

200

20

<0,4

40/150

500

КТ-46

КТ339 AM

N-P-N

0,26

25

25

< 1,0

>25

550

КТ-26

КТ342АМ, БМ, ВМ

N-P-N

0,25

50

30

< 30

100/250

250

КТ-26

КТ361

P-N-P

0,15

  • 50—
  • 100

10-45

< 1

20/90— 100/350

150

КТ-13

Таблица 5.6

Наименование

Структура

Р

‘ макс?

Вт

Аиакс?

мА

^макс, В

/<бо’ мкА

^21э

/гран,

МГц

Корпус

КТ3101 А-2

N-P-N

о,1

20

15

0,5

35/300

2250

Н/С-1

КТ3101 AM

N-P-N

0,1

20

15

0,5

35/300

1000

КТ-14

КТ3115 А-2 (Б, Д)

N-P-N

0,07

8,5

7-10

0,5

15/80

5800

КТ-22

КТ3120А

N-P-N

0,1

20

15

5

>40

1800

КТ-14

КТ3126А, Б

P-N-P

0,15

30

30

0,5

25/100— 60/180

500

КТ-26

КТ3128 А1

P-N-P

0,3

30

35

0,1

35/150

800

КТ-26

КТ3168 А9

N-P-N

0,18

28

15

<0,5

60/180

<3000

КТ-46

КТ326 А, Б

P-N-P

0,2

50

15

0,5

20/70— 45/160

250

КТ-1-7

КТ326 AM, БМ

P-N-P

0,2

50

15

0,5

20/70— 45/160

250

КТ-26

КТ368 А, Б

N-P-N

0,225

30

15

0,5

50/300

900

КТ-1-12

КТ368 AM, БМ

N-P-N

0,225

30

15

0,5

50/450

900

КТ-26

КТ368 А9, Б9

N-P-N

0,1

30

15

0,5

50/300

900

КТ-46

КТ399 AM

N-P-N

0,15

30

15

0,5

40/170

1800

КТ-26

Отечественные СВЧ транзисторы

Таблица 5.7

Полосовые фильтры для трактов ПЧ AM

Тип изделия

Номинальная частота, кГц

Ширина полосы по уровню

6 дБ, кГц

Избирательность при расстройке, дБ, не менее

Гарантированное затухание, дБ, не менее

Вносимое затухание дБ, не более

Вх./Вых. нагрузочное сопротивление, кОм

ФП1 П1-7

465

20-26

40 (±22,5 кГц)

30,0

4,0

3,0/1,5

ФП1 П1-7-1

455

20-26

40 (±22,5 кГц)

30,0

4,0

3,0/1,5

ФП1 П1-7-М

465

16-20

50 (±25 кГц)

38,0

4,0

3,0/1,5

ФП1 П1-11

455

22-26

60 (±22 кГц)

50,0

4,0

2,4/2,4

Таблица 5.8

Фильтры для трактов УПЧ радиоприемной аппаратуры

Тип изделия

Номинальная частота, /ном, кГц

Шир. полосы пропуск, по ур.З дБ, кГц

Шир. полосы пропуск. по ур. 40 дБ, кГц

Вносимое затухание, дБ, не более

Гарантир. затухание,^ ± 100 кГц, дБ

ФП1 П1-12-1

455

30

60

<4,0

>27

ФП1 П1-12-2

455

30

50

<6,0

>25

ФП1 П1-12-3

450

25

70

<5,0

>25

ФП1 П1-12-4

500

7,8

22

<6,0

>25

ФП1 П1-12-5

500

24,5

60

<5,0

>25

ФП1 П6-4

10700

> 180

660 (по ур. 20 дБ)

< 8,0

>30

(/й + 2 МГц)

 
Посмотреть оригинал
< Пред   СОДЕРЖАНИЕ ОРИГИНАЛ   След >