Исследование полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы на их основе - наиболее типичные и массовые изделия, в производстве которых давно применяются нанотехнологии. Их исследование и тестирование основаны на применении большинства описанных выше приборов. Разумеется, и тут есть своя специфика, требующая разработки специальных типов приборов, например характериографов для снятия вольт-амперных характеристик (ВЛХ) полупроводниковых приборов, причем как в статическом, так и динамическом режимах. Эта глава не претендует на полное описание всех методов измерения параметров полупроводниковых приборов и тем более всего многообразия интегральных микросхем. Она посвящена лишь избранным вопросам таких измерений.

Основы измерения статических параметров полупроводниковых приборов

Типы тестируемых полупроводниковых приборов

Полупроводниковые приборы - основа подавляющего большинства изделий полупроводниковой промышленности, микроэлектроники и наноэлектроники. Подлежащие контролю (тестированию) полупроводниковые приборы можно разделить на четыре класса:

  • • двухвыводные приборы - диоды выпрямительные и детекторные, кремниевые стабилитроны, варикапы, диоды с накоплением заряда,/;-/-н-диоды и т. д.;
  • • трехвыводные приборы - биполярные и полевые транзисторы;
  • • многовыводные приборы - интегральные микросхемы;
  • • специальные приборы (однопереходные и лавинные транзисторы, тиристоры, приборы с оптическим управлением и др.).

В пределах каждого класса приборов могут потребоваться измерения статических параметров на постоянном токе (например, семейств входных и выходных ВЛХ, передаточных характеристик и т. д.), параметров на переменном токе (входное и выходное сопротивления и емкости, коэффициенты передачи и др.), а также измерения динамических параметров (времени переключения, задержек, времени выхода из насыщения и т. д.). Все это требует разнообразной аппаратуры и методик измерений.

 
Посмотреть оригинал
< Пред   СОДЕРЖАНИЕ ОРИГИНАЛ   След >