Приведение двухслойного грунта к эквивалентному однослойному для заземлителя в виде одиночного горизонтального электрода

Принимается, что заземлитель расположен в верхнем слое грунта и глубина закладки заземлителя много меньше толщины верхнего слоя А|.

В частном случае, когда грунт имеет двухслойную структуру, выражение для удельного сопротивления р_экв эквивалентного однослойного грунта имеет следующий вид [7.7]:

где р) — удельное электрическое сопротивление верхнего слоя грунта; р₂ — удельное электрическое сопротивление нижнего слоя грунта; — толщина верхнего слоя грунта; / — длина заземлителя; 5 — площадь поперечного сечения заземлителя.

Приведение двухслойного грунта к эквивалентному однослойному для заземлителя в виде одиночного вертикального электрода, расположенного полностью в верхнем слое

Принимается, что глубина закладки верхнего конца заземлителя много меньше длины / заземлителя.

В частном случае, когда грунт имеет двухслойную структуру, выражение для удельного сопротивления р_экв эквивалентного однослойного грунта имеет следующий вид [7.7]:

где Р] — удельное электрическое сопротивление верхнего слоя грунта; р₂ — удельное электрическое сопротивление нижнего слоя грунта; /?| — толщина верхнего слоя грунта; / — длина заземлителя; 5— площадь поперечного сечения заземлителя.

Приведение двухслойного грунта к эквивалентному однослойному для заземлителя в виде одиночного вертикального электрода, пересекающего границу раздела слоев

Принимается, что глубина закладки верхнего конца заземлителя много меньше толщины верхнего слоя 1ц.

В частном случае, когда грунт имеет двухслойную структуру, выражение для удельного сопротивления р_экв эквивалентного однослойного грунта имеет следующий вид [7.7]:

где Р[ — удельное электрическое сопротивление верхнего слоя грунта; р₂ — удельное электрическое сопротивление нижнего слоя грунта; Л) — толщина верхнего слоя грунта; / — длина заземлителя; 5 — площадь поперечного сечения заземлителя.