Диод и стабилитрон

Модель диода (Diode) и стабилитрона (Zener)

Формат SPICE

Диоды, стабилитроны, диоды Шоттки

Рис. 11.4 - Диоды, стабилитроны, диоды Шоттки

D<имя> <анод> <катод> <имя модели> [area] [OFF] [С-<напряжение на диоде>] Пример:

D1 7 8 1 N914 1.0 OFF 10.001 Формат схем Micro-Cap

• Атрибут PART <имя>

Пример:

D1

• Атрибут VALUE [area] [OFF] [IC=]

Пример:

  • 10.0 OFF IC=0.65
  • • Атрибут MODEL <имя модели>

Пример:

1N914

На масштабный множитель [area] умножаются или делятся модельные параметры, как показано в табл. 11.3. Наличие ключевого слова OFF приводит к отключению диода в течение первой итерации расчета режима по постоянному току. Необязательное начальное условие [IC=] приводит к установке начального напряжения на диоде при расчете переходных процессов, если флажок Operating Point сброшен.

Формат текстовой директивы модели диода:

.MODEL <имя модели> D ([параметры модели]).

Пример:

.MODEL 1N4434 D (IS=1E-16 RS=0.55 TT=5N)

Параметры модели диода

Модель диода представляет собой стандартную PSPICE-модель с добавочным линейным сопротивлением, подсоединенным параллельно, учитывающим явления утечки (см. рис. 11.4).

Таблица 11.3- Параметры модели диода

Обозначение

Содержание

Значение по умолчанию

Единица

измерения

AREA

Level

Тип модели: 1 — SPICE2G, 2 — PSPICE

1

IS

Ток насыщения при температуре 27°С

Ю"14

А

X

N

Коэффициент эмиссии (неидеальности)

1

ISR

Параметр тока рекомбинации

0

А

X

Окончание табл. 11.3

Обозначение

Содержание

Значение по умолчанию

Единица

измерения

AREA

NR

Коэффициент эмиссии (неидеальности)для тока ISR

2

IKF

Предельный ток при высоком уровне инжекции

00

А

X

BV

Обратное напряжение пробоя (положительная величина)

00

В

IBV

Начальный ток пробоя, соответствующий напряжению BV (положительная величина)

ю-10

А

X

NBV

Коэффициент неидеальности на участке пробоя

1

IBVL

Начальный ток пробоя низкого уровня

0

А

X

NBVL

Коэффициент неидеальности на участке пробоя низкого уровня

1

RS

Объемное сопротивление

0

Ом

/

ТТ

Время переноса заряда

0

с

CJO

Барьерная емкость при нулевом смещении

0

Ф

X

VJ

Контактная разность потенциалов

1

В

м

Коэффициент плавности р-n перехода (1/2 — для резкого, 1/3 — плавного)

0.5

FC

Коэффициент нелинейности барьерной емкости прямосмещенного перехода

0.5

EG

Ширина запрещенной зоны

1.11

эВ

XTI

Температурный экспоненциальный коэффициент тока насыщения IS

3

TIKF

Линейный температурный коэффициент IKF

0

°С‘1

TBV1

Линейный температурный коэффициент BV

0

°С‘1

TBV2

Квадратичный температурный коэффициент BV

0

°с*2

TRS1

Линейный температурный коэффициент RS

0

°С'1

TRS2

Квадратичный температурный коэффициент RS

0

°с*2

KF

Коэффициент фликкер-шума

0

AF

Показатель степени в формуле фликкер-шума

1

RL

Сопротивление утечки перехода

00

Ом

Т MEASURED

Температура измерений

°с

T_ABS

Абсолютная температура

°с

Т REL GLOBAL

Относительная температура

°с

Т REL LOCAL

Разность между температурой диода и модели- прототипа АКО

°с

Эквивалентная схема модели диода

Рис. 11.5- Эквивалентная схема модели диода

 
Посмотреть оригинал
< Пред   СОДЕРЖАНИЕ ОРИГИНАЛ   След >