Уравнение материального баланса на поверхности.

Эффект угловой зависимости количества выбитых атомов [95] нения активных центров

Рис. 4.10. Эффект угловой зависимости количества выбитых атомов [95] нения активных центров. В предположении того, что активные и пассивные частицы адсорбируются в доступные активные центры с вероятностью у и десорбируются посредством химического или ионно-стимулированного травления, уравнения материального баланса частиц на поверхности можно записать так:

где 0(, 0/; — степени заполнения поверхности активными и пассивирующими частицами; crSi — плотность поверхностных адсорбционных состояний; Re, Rp потоки частиц из газовой фазы; 1 — ионный поток; уе, ур — коэффициенты прилипания активных и пассивных частиц; р — константа скорости рекомбинации пассивирующих частиц; К,. — константа скорости химической реакции травления; Уе, Ур — среднее число атомов Si в продукте реакции, десорбированных с поверхности, на один падающий ион. В этой модели активные и пассивные радикалы конкурируют за активное место на поверхности Si. Адсорбция активного радикала приводит ктравлению, в то время как адсорбция пассивирующего радикала — к пассивации поверхности. Пассивные радикалы могут десорбироваться при рекомбинации, например в случае кислорода с образованием молекулы 02, или при ионно-стимулированном распылении. Для квазистаци- онарного состояния выражения для степени заполнения частиц имеют следующий вид:

и используются в (4.22) для определения скорости травления Si.

 
Посмотреть оригинал
< Пред   СОДЕРЖАНИЕ ОРИГИНАЛ   След >