Меню
Главная
Авторизация/Регистрация
 
Главная arrow Физика arrow Физика сегнетоэлектриков: современный взгляд
Физика сегнетоэлектриков: современный взгляд

Физика сегнетоэлектриков: современный взгляд


ПРЕДИСЛОВИЕ ПЕРЕВОДЧИКОВПРЕДИСЛОВИЕГлава 1. СОВРЕМЕННАЯ ФИЗИКА СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ: НЕОБХОДИМЫЕ ОСНОВЫ1.1. Введение1.2. Переключение и петли гистерезиса1.3. Кристаллографические особенности сегнетоэлектричества1.4. Материалы1.4.1. Оксиды со структурой перовскита1.4.2. LiNb031.4.3. Слоистые оксидные сегнетоэлектрики1.4.4. Другие семейства сегнетоэлектрических оксидов1.4.5. Магнитные сегнетоэлектрические оксиды1.4.6. Электронные сегнетоэлектрики1.4.7. Наноразмерные сегнетоэлектрики1.5. Применения сегнетоэлектриков1.5.1. Пироэлектрические и пьезоэлектрические устройства1.5.2. Технология сегнетоэлектрической памяти1.5.3. Потенциальные применения1.5.3.1. Сегнетоэлектрические наноструктуры1.5.3.2. Приборы на основе эффекта поля1.5.3.3. Сегнетоэлектрические устройства, создаваемые с использованием атомно-силовой микроскопии1.5.3.4. Сегнетоэлектрические охлаждающие устройства1.6. Замечание от редакторовЛитератураГлава 2. ТЕОРИЯ ПОЛЯРИЗАЦИИ: СОВРЕМЕННЫЙ ПОДХОД2.1. Почему необходим современный подход?2.1.1. Ошибочность представлений Клаузиуса—Моссотти2.1.2. Ошибочность определения поляризации через распределение заряда2.2. Поляризация как протекание адиабатического тока2.2.1. Как измеряется наведенная поляризация?2.2.2. Как измеряется сегнетоэлектрическая поляризация?2.2.3. Основные идеи теории поляризации2.3. Формальное описание теории фазы Берри2.3.1. Формулировка в непрерывном к-пространстве2.3.2. Формулировка в дискретном к-пространстве2.3.3. Квант поляризации2.3.4. Формальная поляризация как многозначная векторная величина2.3.5. Отображение на центры Ванье2.4. Применение к сегнетоэлектрикам2.4.1. Спонтанная поляризация2.4.2. Аномальные динамические заряды2.4.3. Пьезоэлектрические свойства2.5. Дальнейшее развитие теории2.5.1. Поляризация в ненулевом электрическом поле2.5.2. Теорема о границе раздела и определение связанного заряда2.5.3. Многочастичное решение и некристаллические материалы2.5.4. Поляризация в методе функционала плотности Кона—Шэма2.5.5. Локализация, поляризация и флуктуации2.6. ЗаключениеЛитератураГлава 3. ВВЕДЕНИЕ В ТЕОРИЮ ЛАНДАУ ДЛЯ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ3.1. Введение3.2. Теория Ландау—Девоншира3.2.1. Общая феноменология3.2.2. Переходы второго рода (непрерывные)3.2.3. Переходы первого рода (прерывные)3.2.4. Связь с деформациями3.2.5. Домены3.3. Теория Ландау—Гинзбурга3.3.1. Общие соображения3.3.2. Поляризационная корреляционная функция3.3.3. Критерий Леванюка—Гинзбурга3.3.4. Переходы типа смещения и порядок—беспорядок3.3.5. Недавние результаты для объемных сегнетоэлектриков3.4. Уменьшенные размеры и другие граничные эффекты3.4.1. Общая дискуссия3.4.2. Поляризация на границе3.4.3. Эффекты деполяризации3.4.4. Эпитаксиальные деформации3.4.5. Эффекты, связанные с неоднородностями3.5. Заключение и (некоторые) открытые вопросы3.6. БлагодарностиЛитератураГлава 4. ИССЛЕДОВАНИЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ОКСИДОВ ИЗ ПЕРВЫХ ПРИНЦИПОВ4.1. Введение4.2. Методы расчетов из первых принципов4.3. Результаты для оксидов со структурой перовскита4.3.1. Структура основного состояния4.3.2. Фононы, неустойчивости решетки и поляризация4.3.3. Связь поляризации с деформацией4.3.4. Диэлектрический и пьезоэлектрический отклики4.3.5. Результаты для ненулевой температуры4.4. Результаты для других соединений сегнетоэлектрических оксидов4.5. Результаты для твердых растворов4.6. Результаты для дефектов4.7. Результаты для поверхности, тонких пленок, сверхрешеток, нанопроволок и наночастиц4.8. Проблемы и перспективыБлагодарностиЛитератураГлава 5. СХОДСТВА И РАЗЛИЧИЯ МЕЖДУ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКАМИ И ФЕРРОМАГНЕТИКАМИ5.1. Основы5.1.1. Природа спонтанной поляризации5.1.1.1. ЧТО ПРИВОДИТ К СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСТВУ?Сегпетоэлектрики с аффектом Яна—Теллера второго порядкаГеометрически обусловленные сегнетоэлектрикиДальнодействующее упорядочение5.1.1.2. Что приводит к ферромагнетизму?Модель локализованных моментовДругие типы магнитного упорядочения5.1.2. Домены5.2. Применения5.2.1. Сегнетоэлектрические запоминающие устройства с произвольной выборкой5.2.2. Магниторезистивные запоминающие устройства с произвольной выборкой5.3. Мультиферроики5.3.1. Почему ферромагнитные сегнетоэлектрики редки?5.3.2. Магнитоэлектрическое взаимодействие5.3.3. Примеры некоторых материалов5.3.3.1. BiFe035.3.3.2. BiMnO35.3.3.3. YMnОз5.3.3.4. ТbМпОз5.3.4. Композиты5.4. ЗаключениеБлагодарностиЛитератураГлава 6. ПОЛУЧЕНИЕ И НОВЫЕ ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ОКСИДНЫХ ТОНКИХ ПЛЕНОК6.1. Введение6.2. Выращивание тонких пленок сложных оксидов6.2.1. Вакуумная камера6.2.2. Контроль и поддержание температуры6.2.3. Импульсное лазерное осаждение6.2.3.1. Лазер6.2.3.2. Мишени6.2.3.3. Процесс абляции6.2.3.4. Выращивание пленок методом ИЛО6.2.4. Осаждение пленок распылением6.2.4.1. Процесс распыления6.2.4.2. Распыление диэлектриков6.2.4.3. Фоновый газ6.2.4.4. Селективное распыление6.2.4.5. Технические аспекты процесса осаждения методом распыления6.2.4.6. Реактивное распыление6.2.5. Молекулярно-лучевая эпитаксия оксидов6.2.5.1. Оборудование6.2.5.2. Дифракция отраженных электронов высокой энергии (RHEED)6.2.5.3. Основы процесса выращивания6.2.5.4. Рост щелочноземельных оксидов6.2.5.5. Рост перовскитов6.3. Подложки6.4. Применение эпитаксиальных оксидных тонких пленок6.4.1. Деформационная инженерия и сверхрешетки6.4.1.1. Деформационная инженерия в эпитаксиальных тонких пленках6.4.1.2. Деформации в сверхрешетках6.4.1.3. ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ МЕЖДУ СЛОЯМИ6.4.1.4. Некоторые примеры сверхрешеток6.4.1.5. Рентгеновсжие исследования сверхрешеток6.5. Кристаллические оксиды на полупроводниках (КОП)6.5.1. Выращивание КОП с определенной последовательностью слоев6.5.2. Каким образом силициды способствуют эпитаксии6.6. ЗаключениеЛитератураГлава 7. РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКАХ7.1. Размерные эффекты в сегнетоэлектриках7.2. Размерные эффекты в теории Гинзбурга—Ландау—Девоншира7.3. Внешние размерные эффекты7.4. Влияние экранирования7.4.1. Простая электростатическая модель7.4.2. Недавние экспериментальные работы: сверхтонкие пленки на металлических электродах7.4.2.1. Результаты комбинированных экспериментальных и теоретических исследований7.4.2.2. Другие аналогичные исследования7.4.3. Скейлинг коэрцитивного поля7.4.4. Тонкие пленки на изолирующих подложках7.5. Сверхрешетки7.6. Другие геометрии7.6.1. Наночастицы7.6.2. Размерные эффекты, связанные с площадью образцов7.6.3. Самоорганизация7.6.4. Новые сегнетоэлектрические геометрииЛитератураГлава 8. ИССЛЕДОВАНИЯ ДОМЕННЫХ СТЕНОК В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ТОНКИХ ПЛЕНКАХ НА НАНОМАСШТАБАХ8.1. Введение8.2. Сегнетоэлектрические доменные стенки как упругие неупорядоченные системы8.3. Статическое и динамическое поведение упругих неупорядоченных систем8.4. Экспериментальное наблюдение ползучести доменных стенок8.5. Ползучесть доменных стенок в соразмерном потенциале8.6. Ползучесть доменных стенок в случайном потенциале8.7. Экспериментальное наблюдение шероховатости доменных стенок8.8. Доменные стенки в присутствии беспорядка тина «случайные связи» и диполь-дипольных взаимодействий8.9. Последние исследования динамики сегнетоэлектрических доменных стенок8.10. ЗаключениеБлагодарностиЛитератураКОЭФФИЦИЕНТЫ РАЗЛОЖЕНИЯ СВОБОДНОЙ ЭНЕРГИИ ЛАНДАУТАБЛИЦЫ КОМБИНАЦИЙ МАТЕРИАЛ-ПОДЛОЖКА
 
РЕЗЮМЕ След >
 

Популярные страницы