9.3. Кремниевые диоды — век полупроводников

Всем нам хорошо известные кремниевые диоды выросли из точечного германиевого транзистора, разработанного Браттейном (Brattain) и Бардиным (Bardeen) в «Белл Лабораториез» (Bell Laboratories) в 1947 г. В дальнейшем были созданы сплавные р-и-переходы, увеличена нагрузочная способность по току, а кремний заменил германий. В 1960 г. кремниевые диоды применялись уже очень широко. Хотя технология и позволяла изготавливать германиевые выпрямительные диоды, имевшие большую площадь, их применение ограничивалось плохими температурными характеристиками.

Преимущество кремниевых диодов состоит в том, что они способны работать при температуре р-н-перехода до 200°С. I I хотя прямое падение напряжения в кремниевых диодах больше, чем в германиевых, их лучшие температурные характеристики позволяют им работать при больших плотностях мощности. На первых норах кремниевые диоды представляли собой кристалл, припаянный к медному основанию, которое использовалось и для монтажа, и в качестве одного из выводов. Второй вывод выполнялся проводом, припаянным с другой стороны кристалла и выходившим наружу через слой изоляции.

С увеличением мощностей и размеров кремниевых диодов появилась проблема разрушения паяного соединения кристалл-основание при гер- моциклах, сопровождающих включение и выключение выпрямителя. Одним из решений этой проблемы было введение промежуточного металлического слоя между кристаллом и основанием, имевшего температурный коэффициент расширения, близкий к таковому у кремния. Обычно для этого использовался вольфрам или молибден. В самых больших диодах в настоящее время кристалл просто плотно прижат пружиной к основанию.

 
Посмотреть оригинал
< Пред   СОДЕРЖАНИЕ ОРИГИНАЛ   След >