Осаждение диэлектрических пленок

Помимо термически выращенного окисла кремния в производстве современных СБИС широко используются диэлектрические пленки, главным образом окисел и нитрид кремния, получаемые методами осаждения. Очень важно при этом, чтобы пленки были однородны по толщине на всех обрабатываемых в одном процессе поверхностях, а их состав и структура были полностью идентичны и воспроизводимы.

Влияние медленнорелаксирующего заряда на вольт-фарадную характеристику МДП-структуры

Рис. 2.13. Влияние медленнорелаксирующего заряда на вольт-фарадную характеристику МДП-структуры:

1 — исходная кривая; 2 — термополевая обработка = 125 °С; t = 30 мин) при U = +10 В; 3 — термополевая обработка при тех же условиях, но при U = -10 В

Эти пленки предназначаются для электрической изоляции между металлом и поверхностью кремния, проводящими слоями, для защиты поверхности микросхемы от воздействия окружающей среды.

Основными методами получения таких пленок являются осаждение из парогазовых смесей при атмосферном или пониженном давлении и плазмохимическое осаждение.

Осаждение пленок диоксида кремния

Наиболее часто для осаждения пленок Si02 используются реакция окисления силана SiH4 кислородом (2.8), реакция (2.9) разложения тетроэтоксисилана (ТЭОС) и реакция дих- лорсилана с закисью азота (2.10):

Эти реакции протекают при различных температурах. Наименьшая температура 400-450 °С требуется для окисления силана. Реакция возможна как при атмосферном, так и при пониженном давлении. Пленки, полученные этим методом, могут использоваться как защитные поверх алюминиевой металлизации, в качестве межслойной изоляции между двумя уровнями металлизации, для пассивации поверхности готовых приборов.

Недостатком метода является плохая воспроизводимость ступенчатого рельефа.

Для разложения тетроэтоксисилана (2.9) требуется более высокая (650-750 °С) температура. Это вещество испаряется из жидкого источника в газофазных реакторах при пониженном давлении. Такие пленки успешно применяются для изоляции поликремниевых затворов или резисторов, они обладают высокой однородностью, хорошими диэлектрическими свойствами и прекрасной воспроизводимостью рельефа структур. Вследствие высокой температуры разложения они не могут использоваться для структур с алюминиевой металлизацией. Побочные продукты, образующиеся при разложении ТЭОС, являются сложной смесью летучих органических и кремнийорганических веществ, которые откачиваются в процессе осаждения. Добавление кислорода в состав парогазовой смеси улучшает диэлектрические свойства пленок, полученных разложением ТЭОС.

Осаждение пленок Si02 с использованием дихлорсилана (2.10) проводится при высокой температуре (900 °С), вследствие чего этот процесс используется лишь для формирования изоляции на поликремнии при отсутствии металлических элементов.

Для защиты готовой микросхемы от влияния внешней среды — влаги, металлических загрязнений, особенно ионов щелочных металлов, вызывающих дрейф характеристик приборов вследствие образования положительного заряда, — окисел кремния легируется фосфором (иногда бором). Легирование пленок окисла осуществляется путем добавления в ходе осаждения небольшого количества соответствующей примеси в виде газообразного соединения с водородом: фосфина РН3 (или ди- борана В2Н6). Концентрация фосфора не превышает 2-8 молярных процентов. Легированный фосфором окисел может использоваться и для межслойной изоляции, в частности между поликремнием и верхним уровнем металлизации. На краях по- ликремниевых элементов образуются ступеньки, приводящие к обрыву металлизации. Поэтому перед нанесением металла слой фосфорносиликатного стекла поверх поликремния оплавляется. Для оплавления концентрация фосфора в стекле должна быть 6-8%. При более низкой концентрации стекло не размягчается при нагревании до 1000-1100 °С и не растекается по поверхности. При более высокой концентрации фосфора происходит медленная гидратация окисла в результате его взаимодействия с парами влаги из окружающей среды. При этом образуются кислотные соединения, вызывающие коррозию алюминиевой металлизации.

Для осаждения пленок Si02 из парогазовой смеси используются два типа реакторов, работающих либо при пониженном давлении (рис. 2.14, а), либо при атмосферном давлении (рис. 2.14, б). Реактор, работающий при пониженном давлении, представляет собой кварцевую трубу, помещенную в печь, подобную диффузионной. Газовая смесь поступает с одного конца трубы и откачивается с другого. Пластины стоят в кварцевой лодочке вертикально, перпендикулярно газовому потоку. Давление в трубе составляет (0,1-0,8)10 3 Па. Однородность пленок по толщине очень высокая, не хуже ±5%, что является преимуществом этого метода, хотя скорость осаждения невысокая.

В реакторе, работающем при атмосферном давлении с непрерывной загрузкой (рис. 2.14, б), пластины располагаются на конвейерной ленте и проходят через реакционную зону. На входе и выходе реактора реакционные газы отсекаются газовыми «занавесями», образованными быстрыми потоками азота. Такой реактор обладает большой пропускной способностью, пленки окисла отличаются высокой однородностью. Недостатком является большой расход газов.

В последние годы для осаждения пленок Si02 и Si3N4 все чаще применяются плазменные методы. Для осаждения двуокиси кремния обычно используется реакция силана с закисью азота в аргоновой плазме: Схема реакторов для осаждения окисла кремния из парогазовой смеси

Рис. 2.14. Схема реакторов для осаждения окисла кремния из парогазовой смеси:

а — при пониженном давлении; б — при атмосферном давлении

Плазмохимическое осаждение проводится в тлеющем разряде, подложки находятся при низких (100-400 °С) температурах, что является бесспорным достоинством метода. При осаждении необходимо очень тщательно контролировать многие параметры процесса: частоту и мощность разряда, общее давление парогазовой смеси и парциальное давление реагентов, температуру подложки и скорость откачки, а также оптимизировать геометрию реактора и тщательно подбирать материал электродов. Следует отметить, что от конструкции реактора сильно зависят параметры процесса, так что режим осаждения должен подбираться для каждого реактора индивидуально, что затрудняет сравнение свойств пленок, полученных на различных реакторах.

Один из реакторов для плазменного осаждения диэлектрических пленок представлен на рис. 2.15. Это плазмохимический реактор с радиальным распределением газового потока между двумя плоскими металлическими электродами. Нижний электрод, на котором располагаются обрабатываемые пластины, заземляется. На верхний электрод подается высокочастотное напряжение, создающее тлеющий разряд между электродами. Газ, поступая в камеру, протекает в радиальных направлениях. Нижний электрод нагревается до нужной температуры (400 °С).

Схема плазмохимического реактора с радиальным распределением газового потока

Рис. 2.15. Схема плазмохимического реактора с радиальным распределением газового потока

 
Посмотреть оригинал
< Пред   СОДЕРЖАНИЕ ОРИГИНАЛ   След >