ПРАВИЛА ОТБОРА МЕЖЗОННЫХ ПЕРЕХОДОВ В КВАНТОВЫХ ЯМАХ

Рассмотрим теперь правила отбора для межзонных оптических переходов, которые возникают в условиях размерного квантования в квантовых ямах на основе GaAs/AlGaAs гетероструктур. Расщепленные состояния, соответствующие потолку валентной зоны, сохраняют

ЗЛО

Рис. ЗЛО

Правила отбора для оптических переходов между блоховскими (атомоподобными) состояниями валентой зоны и зоны проводимости:

а — дипольный матричный элемент перехода между s- и p-состояниями; b — индикатриса излучения диполя, согласно принципу соответствия; с — возможные дипольные моменты оптических переходов между состояниями валентной зоны и зоны проводимости: р'( ' обозначают дипольные моменты циркулярного вращения, которые излучают циркулярно поляризованный свет; л означает линейно поляризованный диполь, цифы указывают относительные силы диполей; d — геометрическая ориентация диполей для случая квантовых ям. Видно, что с тяжелыми дырками связан ТЕ-поляризованный свет в лг-направлении.

свою симметрию, которая описывается угловым момен- том блоховских волновых функций. В результате размерного квантования в к = 0 возникают: уровень тяжелых дырок, Jz = ±3/2 и легких дырок Jг = ±1/2 (д — ось проекций углового момента). Разрешенные оптические переходы рассчитываются так же, как и в атомной спектроскопии: между основными уровнями с J = 3/2, J2 = ±3/2 или Jz = ±1/2 и возбужденными уровнями J = 1/2, Jz = ±1/2. На рисунке 3.10 показаны оптические переходы с поглощением фотонов различной поляризации. Согласно принципу соответствия, вектор поляризации описывает электронный дипольный момент. Классические представления гласят, что электрический диполь излучает только в направлении, перпендикулярном своему собственному осциллирующему движению.

 
Посмотреть оригинал
< Пред   СОДЕРЖАНИЕ ОРИГИНАЛ   След >