КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ

  • 1. Объясните, как вычисляется концентрация электронов в зоне проводимости собственного полупроводника.
  • 2. Какова зависимость этой концентрации от температуры?
  • 3. Докажите, что уровень Ферми в собственном полупроводнике действительно расположен в середине запрещенной зоны.
  • 4. Как влияет температура на концентрацию свободных электронов в примесных полупроводниках?
  • 5. В какой из половин запрещенной зоны находится уровень Ферми в полупроводниках п- и р-типов?
  • 6. В чем проявляется закон действующих масс носителей заряда в полупроводнике?
  • 7. Объясните, как, используя график температурной зависимости удельной проводимости примесного полупроводника, можно определить ширину запрещенной зоны полупроводника.
  • 8. Используя зонную схему, объясните механизм физических процессов, происходящих в л-р-переходе.
  • 9. Изобразите пространственное распределение зарядов и энергетические диаграммы л-р-перехода для следующих случаев: а) внешнее напряжение отсутствует; б) прямое смещение перехода; в) обратное смещение перехода.
  • 10. Объясните работу туннельного диода.
  • 11. Пользуясь зонной схемой, объясните, как работает транзистор л-р-л-типа.
  • 12. В чем заключается особенность зонной структуры аморфных полупроводников?
 
Посмотреть оригинал
< Пред   СОДЕРЖАНИЕ ОРИГИНАЛ   След >