Аналитический расчет волнового сопротивления

В интересующем нас диапазоне конструктивных и электрофизических параметров ГМП с достаточной точностью можно использовать следующие соотношения:

- для микрополосковых (несимметричных) линий

- для полосковых (симметричных) линий

где 5 и / - ширина и толщина плоских проводников, Н - толщина диэлектрика, кн и кс - коэффициенты, учитывающие своеобразие конструкций экранов, q - коэффициент, учитывающий эксцентричность положения печатного проводника относительно экранных слоев в симметричных линиях, ?г - приведенная диэлектрическая проницаемость:

  • - для симметричных линий sr = sr;
  • - для несимметричных sr = (sr +1) / 2 + [(?,. -1) / 2] [l +10# / В] ''.

В табл. 3.2 приведены результаты статистической обработки

данных, устанавливающих значения коэффициентов кн и кс для типовых конструкций экранных слоев ГМП.

Отклонение проводников от номинального положения по плоскости слоя приводит к смещению осей сигнальных проводников относительно проводников сетки экранных слоев. Исследования показали, что смешение проводников порядка 0,1 мм не сказывается на стабильности значений Z0.

Таблица 3.2. Значения Z0 (Ом) для различных конструкций ГМП

Конструкции экранных слоев

Несимметричные

линии

Симметричные

линии

Отношение ширины линии В к толщине межслойной изоляции Н

0,2/0,25

0,3/0,38

0,2/0,75

кн

20

кн

20

кн

Сплошной экран

52,0

1,00

56,0

1,00

58,0

1,00

Экран с круглыми перфорациями в местах сквозных отверстий

56,0

1,08

60,0

1,07

60,5

1,04

Сетчатый экран с шагом сетки 1,25 мм с шириной проводников 0,3 мм

57,0

1,10

62,0

1,11

61,5

1,06

Сетчатый экран с шагом сетки 2,5 мм с шириной проводников сетки 0,3 мм

66,0

1,27

71,0

1,26

64

1,10

Печатные проводники ГМП, расположенные на двух сторонах диэлектрического основания внутреннего слоя, оказываются смещенными относительно центра симметрии закрытий линии на величину, равную, по крайней мере, половине толщины основания слоя. Установлены количественные характеристики зависимости волнового сопротивления от смещения проводников.

 
Посмотреть оригинал
< Пред   СОДЕРЖАНИЕ ОРИГИНАЛ   След >