Анализ геометрических характеристик линий связи в ГМП

Взаимосвязь между вышеприведенными требованиями и геометрическими характеристиками межсоединений как линий связи можно установить, рассмотрев известные выражения волнового сопротивления Z0 и отношения наведенной помехи Uп в линии-

приемнике к сигналу Uc в линии-индукторе применительно к

схеме согласования, показанной на рис.3.1, и трассировке печатных проводников в ГМП, показанной на рис. 3.2 и рис. 3.3.

Схема наведения помехи U в линии-приемнике

Рис. 3.1. Схема наведения помехи Un в линии-приемнике

Приближенные соотношения для определения параметров линий передачи следующие:

где С,, частичная взаимная емкость между линиями, С0 - частичная емкость сигнального проводника линии передачи на возвратный слой, С|0 = С20 = С0, L0 - индуктивность линии передачи, Ью = L2q = L0, М - взаимная индуктивность линии передачи.

В общем случае указанные параметры можно определить но приближенным соотношениям:

где И - расстояние между возвратными плоскостями полосковой линии, В - ширина проводника, Т - расстояние между осями проводников (шаг трассировки), s - абсолютная диэлектрическая проницаемость материала основания платы, 0 - магнитная постоянная (рис. 3.3).

Электрические взаимосвязи соседних линий передачи

Рис. 3.2. Электрические взаимосвязи соседних линий передачи

Обозначения геомегрических параметров линий передачи в ГМП

Рис. 3.3. Обозначения геомегрических параметров линий передачи в ГМП

Подставив электрические параметры в (3.2) и отбросив для анализа величины второго порядка, получим выражение

из которого определим соотношение между шагом трассировки проводников Т и изоляционным промежутком между экранными слоями и для закрытой (симметричной) линии, характерной для большинства конструкций ГМП высокопроизводительных электронных устройств авионики:

Определим, например, соотношение между шириной проводника В и величиной Н для Z0 = 60 Ом, воспользовавшись (3.3):

(Граничения по погонному сопротивлению линий установлены из соотношения: г = R/I = p/S <5 Ом/м , где 5 - площадь поперечного сечения печатного проводника.

Результаты анализа для Z0, приведенные в габл. 3.1, показывают, что увеличение плотности трассировки неизбежно приводит к уменьшению ширины проводников и для поддержания заданного соотношения Un / Uc - уменьшению толщины межслойной изоляции в конструкциях ГМП. Вместе с тем, уменьшение размеров элементов конструкций линий связи усложняет проблемы технологического обеспечения стабильности значений волнового сопротивления [104].

Т а б л и ц а 3.1. Оптимальные элементы конструкции линий передачи в ГМП

Шаг

трассировки 7тр, мм

Я,

мм

В, мм

и

мкм

Толщина диэлектрического основания слоя, мм

1,25

0,6

0,25

35

0,2...0,25

0,625

0,4

0,15

35

0,13

0,5

0,3

0,12

35

0,10

0,33

0,2

0,08

45

0,08

 
Посмотреть оригинал
< Пред   СОДЕРЖАНИЕ ОРИГИНАЛ   След >