4.4. Другие эффекты, обусловленные точечными дефектами

Выше были рассмотрены два классических механизма релаксации, обусловленные одиночными атомами внедрения в ОЦК решетке (релаксация Снука) и парами атомов замещения в ГЦК, ОЦК и ГПУ решетках (релаксация Зинера). В обоих случаях точкой отсчета являлось выделение на атомарном уровне упругого диноля и описание ноля его симметрии относительно симметрии кристалла, в котором он образуется. Основные закономерности, обусловленные механизмами Снука и Зинера, в достаточной мере могут описать процессы релаксации в кристаллах, содержащих точечные дефекты, но не исчерпывают их многообразия. Реальные кристаллы содержат большое количество дефектов и их комплексов. Взаимодействие этих дефектов с полями напряжений (до сих пор рассматривались только однородные поля напряжений) приводит к большому набору релаксационных эффектов. Ниже кратко описаны только некоторые из них: релаксация Горского, Финкельштейна - Розина, дислокационно-усиленная релаксация от точечных дефектов, релаксация Каннели - Вердини.

В общем случае релаксационные эффекты, обусловленные точечными дефектами, можно разделить на два типа. Дефекты первого типа, уже знакомые нам но эффектам Снука и Зинера, возникают в том случае, если симметрия дефекта оказывается ниже симметрии кристалла. Такой дефект кристаллической решетки стремится переориентироваться в ноле приложенных однородных напряжений, процесс переориентации приводит к релаксации напряжений. По аналогии с электромагнетизмом, свойства кристаллов в этом случае можно назвать параупругими [22]. Релаксационные эффекты второго тина становятся возможными в кристаллах с дефектами той же симметрии, что и симметрия самой кристаллической решетки в неоднородном поле приложенных напряжений из-за взаимодействия дефектов с объемными и сдвиговыми компонентами поля напряжений. В однородном поле напряжений, согласно правилу отбора, все положения таких дефектов в решетке эквивалентны и их перемещение не вызывает релаксации напряжений. По аналогии с электромагнетизмом, свойства таких кристаллов с дефектами можно назвать диаупругими, так как в них упругие диполи создаются только иод действием приложенных неоднородных напряжений (например, релаксация Горского).

 
Посмотреть оригинал
< Пред   СОДЕРЖАНИЕ ОРИГИНАЛ   След >