Параметрический анализ

Параметрический анализ представляет собой многократно повторяемые итерации одного из типов стандартных анализов, когда изменяется глобальный параметр, параметр модели, величина компонента или рабочая температура. При этом за одно обращение к среде достигается эффект, эквивалентный многократному обращению при пошаговом изменении параметра.

При работе в режиме параметрического анализа необходимо вместо значения элемента, величина которого является переменной, указать в фигурных скобках произвольное имя переменной. Кроме этого необходимо обратиться к библиотеке special.olb и извлечь из нее элемент PARAM, войти в свойства этого элемента и добавить свойство с именем, идентичным имени переменной, заданным в фигурных скобках. В качестве начального значения этого свойства внести начальное значение параметра.

В качестве примера параметрического анализа рассмотрим влияние сопротивления R1 в цепи затвора на скорость и время задержки включения и выключения IGBT транзистора типа 1RG4PH50UD. Принципиальная схема включения транзистора и параметры элементов схемы приведены на рис. 3.27 (транзистор показан условно). В качестве глобального параметра берется величина сопротивления R1. В фигурных скобках около этого сопротивления указывается имя переменной (в нашем случае {R_val}). При обращении к элементу PARAM из библиотеки special.olb задается свойство R_val с начальным значением равным 1. Далее задаются следующие свойства: переменной Global parameter присваивается значение R_val и переменной Value List присваивается список значений 1, 25, 50. На рис. 3.28 приведены осциллограммы напряжения на транзисторе при значениях сопротивления затвора, соответственно,

PARAMETERS:

R_val=1

• V2

V1=0

V2=15

TD=10mk

TR=100h

TF=100h

PW=0,5u

PER=2c

Рис. 3.27. Схема для определения влияния времени задержки и крутизны включения и выключения IGBT транзистора (параметрический анализ)

Рис. 3.28. Осциллограммы напряжения на транзисторе при определении влияния времени задержки и крутизны включения и выключения (параметрический анализ)

1 Ом, 25 Ом, 50 Ом. Из осциллограмм видно, что величина сопротивления затвора существенным образом влияет на крутизну и время задержки включения и выключения IGBT транзистора.